參數(shù)資料
型號(hào)： 6MBI50U4A-120
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT MODULE
中文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-28
文件頁(yè)數(shù)： 9/13頁(yè)
文件大?。?/td> 475K
代理商： 6MBI50U4A-120
H04-004-03a
MS5F6015
13
a
9
Dynamic Gate charge (typ.)
Vcc=600V, Ic=50A, Tj=25
o
C
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f=1MHz, Tj=25
o
C
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj=25
o
C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj=125
o
C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Tj=25
o
C / chip
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
8V
10V
12V
15V
VGE=20V
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
8V
10V
12V
15V
VGE=20V
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
Tj=125
o
C
Tj=25
o
C
0
2
4
6
8
10
5
10
Gate-Emitter voltage : VGE [ V ]
15
20
25
Ic=25A
Ic=50A
Ic=100A
C
0.1
1.0
10.0
100.0
0
10
20
30
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
Cies
C
Coes
Cres
0
100
200
300
Gate charge : Qg [ nC ]
C
G
VGE
VCE
0
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PDF描述
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