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參數(shù)資料
| 型號： | 6MBI100U2B-060 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT MODULE (U series) 600V / 100A |
| 中文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-35 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 127K |
| 代理商： | 6MBI100U2B-060 |
IGBT Module
6MBI100U2B-060
Characteristics (Representative)
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Tj=25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125°C / chip
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
Dynamic Gate charge (typ.)
Vcc=300V, Ic=100A, Tj= 25°C
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V 15V
12V
10V
8V
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V 15V12V
10V
8V
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
4
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Tj=125°C
Tj=25°C
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
C
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
Ic=200A
Ic=100A
Ic= 50A
0.1
1.0
10.0
100.0
0
10
20
30
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
500
0
100
200
300
400
500
0
5
10
15
20
25
C
Gate charge : Qg [ nC ]
VGE
VCE
G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6MBI10F-060 | IGBT (600V 10A) |
| 6MBI10L-060 | IGBT MODULE(600V 10A) |
| 6MBI10S-120 | IGBT MODULE(1200V/10A) |
| 6MBI10GS-060 | IGBT MODULE ( Single-in-Line ) |
| 6MBI150FB-060 | IGBT MODULE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 6MBI100U2B-060(P) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBTs |
| 6MBI100U4B-120 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 6MBI100U4B-120-50 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:6 Pack IGBT 100A 1200V,6MBi100U4B-120-50 |
| 6MBI100U4B-170 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 6MBI100UB120 | 制造商:FUJITSU 功能描述:_ |
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