參數(shù)資料
型號: 63CTQ100G
廠商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類: 整流器
英文描述: 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 4/7頁
文件大小: 141K
代理商: 63CTQ100G
www.vishay.com
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
Document Number: 94508
4
Revision: 12-Sep-08
63CTQ100GPbF
Vishay High Power Products
Schottky Rectifier, 2 x 30 A
Fig. 5 - Maximum Allowable Case Temperature vs.
Average Forward Current
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 7 - Maximum Non-Repetitive Surge Current (Per Leg)
Note
(1) Formula used: TC = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC;
Pd = Forward power loss = IF(AV) x VFM at (IF(AV)/D) (see fig. 6);
PdREV = Inverse power loss = VR1 x IR (1 - D); IR at VR1 = 80 % rated VR
Average Forward Current - I
F(AV)
(A)
Allowable
Case
Temperature
(°C)
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
DC
see note (1)
Square wave (D = 0.50)
80% Rated Vr applied
Average Forward Current - I
F(AV)
(A)
Average
Power
Loss
(Watts)
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
DC
RMS Limit
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
Square Wave Pulse Duration - t
p
(microsec)
Non-Repetitive
Surge
Current
-
I
FSM
(A)
100
1000
10000
10
100
1000
10000
At Any Rated Load Condition
And With Rated Vrrm Applied
Following Surge
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PDF描述
63CTQ100GPBF 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
63CTQ100G 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
63CTQ100PBF 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
63CTQ100 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
63CTQ100 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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