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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 63CPT100 |
| 廠商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 60 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 132K |
| 代理商： | 63CPT100 |
www.vishay.com
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
Document Number: 94535
4
Revision: 07-Oct-08
63CPT100
Vishay High Power Products
High Performance
Schottky Generation 5.0,
2 x 30 A
Fig. 5 - Maximum Allowable Case Temperature vs.
Average Forward Current
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 7 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Note
(1) Formula used: TC = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC;
Pd = Forward power loss = IF(AV) x VFM at (IF(AV)/D) (see fig. 6);
PdREV = Inverse power loss = VR1 x IR (1 - D); IR at VR1 = 80 % rated VR
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Allo
w
ab
le
Case
T
e
mperature
(°C)
IF(AV) - Average Forward Current (A)
145
150
155
160
165
170
175
180
see note (1)
Square wave (D = 0.50)
80 % rated V
r applied
DC
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Av
e
ra
g
e
P
o
wer
Loss
(W)
IF(AV) - Average Forward Current (A)
0
5
10
15
20
25
30
RMS limit
DC
180°
120°
90°
60°
30°
Square Wave Pulse Duration - tp (s)
I FSM
-
Non-Repetitive
Sur
g
e
Current
(A)
10
100
1000
10 000
100
1000
10 000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 63CTQ100GPBF | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
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| 63CTQ100GPBF | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 63CTQ100G | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 63CTQ100PBF | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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