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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 63CPQ100PBF |
| 廠商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 封裝： | LEAD FREE, TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/7頁(yè) |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | 63CPQ100PBF |
Document Number: 94244
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
Revision: 13-Aug-08
3
63CPQ100PbF
Schottky Rectifier, 2 x 30 A
Vishay High Power Products
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.
Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance ZthJC Characteristics
1
100
10
1000
I F
-
Instantaneous
Forward
Current
(A)
VFM - Forward Voltage Drop (V)
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
T
J = 175 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
0.001
1
10
100
0.1
0.01
1000
I R
-Reverse
Current
(mA)
VR - Reverse Voltage (V)
20
40
80
100
60
0
T
J = 175 °C
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 100 °C
T
J = 75 °C
T
J = 50 °C
T
J = 25 °C
100
1000
10 000
C
T
-Junction
Capacitance
(pF)
VR - Reverse Voltage (V)
40
20
60
80
100
120
0
T
J = 25 °C
0.01
0.1
1.0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
t1 - Rectangular Pulse Duration (s)
Z
thJC
-
Thermal
Impedance
(°C/W)
10
100
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
Single pulse
(thermal resistance)
P
DM
t
1
t
2
Notes:
1. Duty factor D = t
1/t2
2. Peak T
J = PDM x ZthJC + TC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 63CPQ100 | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 63CPQ100PBF | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 63CPQ100 | 25 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 63CPT100 | 60 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
| 63CTQ100GPBF | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 63CPQ100PBF_12 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 30 A |
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| 63CPT100_12 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:High Performance Schottky Generation 5.0, 2 x 30 A |
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