參數(shù)資料
型號: 63CPQ100GPBF
廠商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類: 整流器
英文描述: 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 2/7頁
文件大小: 135K
代理商: 63CPQ100GPBF
www.vishay.com
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Document Number: 94243
2
Revision: 13-Aug-08
63CPQ100GPbF
Vishay High Power Products
Schottky Rectifier, 2 x 30 A
Note
(1) Pulse width < 300 s, duty cycle < 2 %
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum forward voltage drop per leg
See fig. 1
VFM (1)
30 A
TJ = 25 °C
0.77
V
60 A
0.92
30 A
TJ = 125 °C
0.64
60 A
0.76
Maximum reverse leakage current per leg
See fig. 2
IRM (1)
TJ = 25 °C
VR = Rated VR
0.3
mA
TJ = 125 °C
25
Threshold voltage
VF(TO)
TJ = TJ maximum
0.38
V
Forward slope resistance
rt
5.75
m
Ω
Maximum junction capacitance per leg
CT
VR = 5 VDC (test signal range 100 kHz to 1 MHz) 25 °C
1300
pF
Typical series inductance per leg
LS
Measured lead to lead 5 mm from package body
7.5
nH
Maximum voltage rate of change
dV/dt
Rated VR
10 000
V/s
THERMAL - MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum junction and storage
temperature range
TJ, TStg
- 55 to 175
°C
Maximum thermal resistance,
junction to case per leg
RthJC
DC operation
See fig. 4
0.8
°C/W
Maximum thermal resistance,
junction to case per package
DC operation
0.4
Typical thermal resistance,
case to heatsink
RthCS
Mounting surface, smooth and greased
0.25
Approximate weight
6g
0.21
oz.
Mounting torque
minimum
6 (5)
kgf cm
(lbf in)
maximum
12 (10)
Marking device
Case style TO-247AC (JEDEC)
63CPQ100G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
63CPQ100G 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
63CPQ100 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD
63CPQ100 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
63CPQ100PBF 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
63CPQ100 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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