參數(shù)資料
型號(hào)： 61CTQ045PBF
元件分類： 整流器
英文描述： 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 88K
代理商： 61CTQ045PBF
61CTQ045
3
Bulletin PD-20638 rev. A 12/01
www.irf.com
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
Reverse Voltage - V
R (V)
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
Forward Voltage Drop - V
FM (V)
Instantaneous
Forward
Current
-
I
F
(A)
Reverse Voltage - V
R (V)
Junction
Capacitance
-
C
T
(p
F
)
Fig. 4 - Max. Thermal Impedance Z thJC Characteristics
t1, Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Thermal
Impedance
Z
thJC
(°C/W)
Reverse
Current
-
I
R
(mA)
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
1
10
100
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Tj = 175C
Tj = 125C
Tj = 25C
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
10203040
50
100C
75C
50C
25C
Tj = 175C
125C
150C
100
1000
10000
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
T = 25C
J
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Single Pulse
(Thermal Resistance)
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
Notes:
1. Duty factor D = t1/ t2
2. Peak Tj = Pdm x ZthJC + Tc
2
t
1
t
P
DM
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PDF描述
61CTQ045 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
61M100 60 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
61M120 60 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
61M80 60 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
61M40 60 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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