參數(shù)資料
型號: 60CTQ150
元件分類: 整流器
英文描述: 60 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大?。?/td> 155K
代理商: 60CTQ150
Bulletin PD-20484 04/02
4
www.irf.com
60CTQ150
Fig. 7 - Max. Non-Repetitive Surge Current (Per Leg)
Fig. 5 - Max. Allowable Case Temperature
Vs. Average Forward Current (Per Leg)
Fig. 8 - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
(Per Leg)
FR EE-W HE EL
D IO D E
40H FL40S02
CU R RE N T
MO N ITO R
HIG H -SP E ED
SW ITC H
IRFP460
L
DU T
Rg = 25 ohm
Vd = 25 V o lt
+
Average Forward Current - I
F(AV) (A)
Allowable
Case
Temperature
(°C)
(2) Formula used: T
C = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC;
Pd = Forward Power Loss = I
F(AV) x VFM @ (IF(AV) / D) (see Fig. 6);
Pd
REV = Inverse Power Loss = VR1 x IR (1 - D); IR @ VR1 = 80% rated VR
Average Forward Current - I
F(AV) (A)
Average
Power
Loss
(Watts)
Square Wave Pulse Duration - t
p (microsec)
Non-Repetitive
Surge
Current
-I
FSM
(A)
0
5
10
15
20
25
30
35
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
DC
RMS Limit
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
DC
see note (2)
Square wave (D = 0.50)
80% Rated Vr applied
100
1000
10
100
1000
10000
At Any Rated Load Condition
And With Rated Vrrm Applied
Following Surge
相關(guān)PDF資料
PDF描述
60CTT015 30 A, 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
60CTT015 30 A, 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
60CTTN015 30 A, 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
60CTTN015 30 A, 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
60EPF10PBF 60 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
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參數(shù)描述
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