參數(shù)資料
型號(hào)： 50WQ06FNTRR
廠(chǎng)商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 5.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
封裝： SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 90K
代理商： 50WQ06FNTRR
Document Number: 94234
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www.vishay.com
Revision: 08-Jul-09
3
50WQ06FNPbF
Schottky Rectifier, 5.5 A Vishay High Power Products
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.
Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance ZthJC Characteristics
1
10
100
I F
-
Instantaneous
Forward
Current
(A)
VFM - Forward Voltage Drop (V)
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
0.2 0.4 0.6
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
0.001
1
10
100
0.1
0.01
I R
-Reverse
Current
(mA)
VR - Reverse Voltage (V)
10
20
50
60
30
40
0
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 100 °C
T
J = 75 °C
T
J = 50 °C
T
J = 25 °C
10
100
1000
C
T
-Junction
Capacitance
(pF)
VR - Reverse Voltage (V)
20
10
30
40
50
70
60
0
T
J = 25 °C
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 - Rectangular Pulse Duration (s)
Z
thJC
-
Thermal
Impedance
(°C/W)
Single pulse
(thermal resistance)
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
P
DM
t
1
t
2
Notes:
1. Duty factor D = t
1/t2
2. Peak T
J = PDM x ZthJC + TC
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PDF描述
50WQ06FNTRLPBF 5.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
50WQ06FNTRL 5.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
50WQ06FN 5.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
50WQ06FN-T4 5.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
50WQ06FN-G 5.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
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