參數(shù)資料
型號(hào)： 50UQ03GPBF
元件分類： 整流器
英文描述： 5.5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
封裝： TO-252AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 114K
代理商： 50UQ03GPBF
50UQ03G
Bulletin PD-20681 09/04
2
www.irf.com
Part number
50UQ03G
V
R
Max. DC Reverse Voltage (V)
V
RWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
30
Voltage Ratings
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
0.46
V
@
5A
* See Fig. 1
(1)
0.53
V
@ 10A
0.39
V
@
5A
0.48
V
@ 10A
I
RM
Max. Reverse Leakage Current
1.1
mA
T
J =
25 °C
* See Fig. 2
(1)
58
mA
T
J = 125 °C
V
F(TO) Threshold Voltage
0.19
V
T
J = TJ max.
rt
Forward Slope Resistance
22.22
m
C
T
Typical Junction Capacitance
590
pF
VR = 5VDC (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25 °C
LS
Typical Series Inductance
5.0
nH
Measured lead to lead 5mm from package body
T
J =
25 °C
T
J = 125 °C
V
R = rated VR
Electrical Specifications
Parameters
50UQ...
Units
Conditions
(1) Pulse Width < 300s, Duty Cycle < 2%
I
F(AV) Max. Average Forward Current
5.5
A
50% duty cycle @ T
C = 136°C, rectangular wave form
* See Fig. 5
I
FSM
Max.PeakOneCycleNon-Repetitive
240
5s Sine or 3s Rect. pulse
Surge Current * See Fig. 7
100
10ms Sine or 6ms Rect. pulse
E
AS
Non-Repetitive Avalanche Energy
10
mJ
T
J = 25 °C, IAS = 2.0 Amps, L = 5 mH
I
AR
Repetitive Avalanche Current
2.0
A
Current decaying linearly to zero in 1 sec
Frequency limited by T
J max. VA = 1.5 x VR typical
Absolute Maximum Ratings
Following any rated
load condition and with
rated VRRM applied
A
Parameters
50UQ...
Units
Conditions
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink
(*) dPtot
1
dTj
Rth( j-a)
T
J
Max. Junction Temperature Range (*) -40 to 150
°C
T
stg
Max. Storage Temperature Range
-40 to 150
°C
R
thJC Max. Thermal Resistance
3.0
°C/W DC operation
* See Fig. 4
Junction to Case
wt
Approximate Weight
0.3 (0.01) g (oz.)
Case Style
I-Pak
Similar to TO-251SL
Device Marking
50UQ03G
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
50UQ... Units
Conditions
相關(guān)PDF資料
PDF描述
50UQ03G 5.5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
50UQ03GPBF 5.5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
50VF10FTRRH 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
50VF20FTRRH 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
50VF10FTRLH 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
50UQ03GPBF_12 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 5.5 A
50USC10000MEFC25X50 功能描述:10000μF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 85°C 制造商:rubycon 系列:USC 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電容:10000μF 容差:±20% 額定電壓:50V ESR（等效串聯(lián)電阻）:- 不同溫度時(shí)的使用壽命:85°C 時(shí)為 3000 小時(shí) 工作溫度:-40°C ~ 85°C 極化:極化 應(yīng)用:通用 紋波電流:5.02A @ 120Hz 阻抗:- 引線間距:0.394"（10.00mm） 大小/尺寸:0.984" 直徑（25.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:2.047"（52.00mm） 表面貼裝焊盤尺寸:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，Can - 卡入式 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200
50USC10000MEFC30X40 功能描述:10000μF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 85°C 制造商:rubycon 系列:USC 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電容:10000μF 容差:±20% 額定電壓:50V ESR（等效串聯(lián)電阻）:- 不同溫度時(shí)的使用壽命:85°C 時(shí)為 3000 小時(shí) 工作溫度:-40°C ~ 85°C 極化:極化 應(yīng)用:通用 紋波電流:5.02A @ 120Hz 阻抗:- 引線間距:0.394"（10.00mm） 大小/尺寸:1.181" 直徑（30.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:1.654"（42.00mm） 表面貼裝焊盤尺寸:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，Can - 卡入式 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100
50USC10000MEFC35X30 功能描述:10000μF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 85°C 制造商:rubycon 系列:USC 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電容:10000μF 容差:±20% 額定電壓:50V ESR（等效串聯(lián)電阻）:- 不同溫度時(shí)的使用壽命:85°C 時(shí)為 3000 小時(shí) 工作溫度:-40°C ~ 85°C 極化:極化 應(yīng)用:通用 紋波電流:5.02A @ 120Hz 阻抗:- 引線間距:0.394"（10.00mm） 大小/尺寸:1.378" 直徑（35.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:1.260"（32.00mm） 表面貼裝焊盤尺寸:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，Can - 卡入式 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100
50USC10000MEFCSN25X50 功能描述:CAP ALUM 10000UF 50V 20% SNAP-IN RoHS:是 類別:電容器 >> 鋁 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:142 RHS 電容:4700µF 額定電壓:10V 容差:±20% 壽命@溫度:105°C 時(shí)為 2000 小時(shí) 工作溫度:-40°C ~ 105°C 特點(diǎn):通用 紋波電流:1.26A ESR（等效串聯(lián)電阻）:- 阻抗:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，Can 尺寸/尺寸:0.492" 直徑（12.50mm） 高度 - 座高（最大）:1.063"（27.00mm） 引線間隔:0.197"（5.00mm） 表面貼裝占地面積:- 包裝:散裝
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