參數(shù)資料
型號: 50UQ03G
廠商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類: 整流器
英文描述: 5.5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
封裝: SIMILAR TO TO-251, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/7頁
文件大?。?/td> 116K
代理商: 50UQ03G
Document Number: 94231
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www.vishay.com
Revision: 17-Oct-08
3
50UQ03GPbF
Schottky Rectifier, 5.5 A
Vishay High Power Products
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.
Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance ZthJC Characteristics
1
100
10
I F
-
Instantaneous
Forward
Current
(A)
VFM - Forward Voltage Drop (V)
0.3
0.4
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0.2
0.5
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
0.001
10
100
1
0.1
1000
I R
-Reverse
Current
(mA)
VR - Reverse Voltage (V)
10
15
520
25
30
0
0.01
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 100 °C
T
J = 75 °C
T
J = 50 °C
T
J = 25 °C
100
1000
C
T
-Junction
Capacitance
(pF)
VR - Reverse Voltage (V)
10
5
152025
35
30
0
T
J = 25 °C
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 - Rectangular Pulse Duration (s)
Z
thJC
-
Thermal
Impedance
(°C/W)
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
Single pulse
(thermal resistance)
P
DM
t
1
t
2
Notes:
1. Duty factor D = t
1/t2
2. Peak T
J = PDM x ZthJC + TC
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PDF描述
50UQ03GPBF 5.5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
50VF10FTRRH 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
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