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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 50GB170DN2 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 237K |
| 代理商： | 50GB170DN2 |
3
Oct-21-1997
BSM 50 GB 120 DN2
Electrical Characteristics
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Switching Characteristics, Inductive Load at
T
j
= 125 °C
Turn-on delay time
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 50 A
R
Gon
= 22
Rise time
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 50 A
R
Gon
= 22
Turn-off delay time
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 50 A
R
Goff
= 22
Fall time
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 50 A
R
Goff
= 22
t
d(on)
-
44
100
ns
t
r
-
56
100
t
d(off)
-
380
500
t
f
-
70
100
Free-Wheel Diode
Diode forward voltage
I
F
= 50 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
I
F
= 50 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
Reverse recovery time
I
F
= 50 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
d
i
F
/
dt
= -800 A/μs,
T
j
= 125 °C
Reverse recovery charge
I
F
= 50 A,
V
GE
= 0 V
V
R
= -600 V,
d
i
F
/
dt
= -800 A/μs,
T
j
= 25 °C
V
R
- 600 V,
d
i
F
/
dt
- 800 A/μs,
T
j
= 125 °C
V
F
-
-
1.8
2.3
-
2.8
V
t
rr
-
0.2
-
μs
Q
rr
-
-
8
2.8
-
-
μC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 50GD120DN2 | Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits |
| 50GD120DN2G | IGBT Module |
| 50P827 | Analog IC |
| 50PI1 | Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits |
| 50PI10 | Analog IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 50-GC6NLT1 | 制造商:MTU 制造商全稱(chēng):MTU 功能描述:GAS Engine-Generator Set |
| 50GD120DLC | 制造商: 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 50GD120DN2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| 50GD120DN2E3226 | 制造商: 功能描述: 制造商:EUPEC 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 50GD120DN2G | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:IGBT Module |
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