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參數(shù)資料
| 型號： | 50GAL120DN2 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | 50GAL120DN2 |
1
Nov-24-1997
BSM 50 GAL 120 DN2
IGBT Power Module
Single switch with chopper diode at collector
Including fast free-wheeling diodes
Package with insulated metal base plate
Type
BSM 50 GAL 120 DN2
V
CE
1200V 78A
I
C
Package
HALF BRIDGE GAL 1 C67076-A2010-A70
Ordering Code
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
R
GE
= 20 k
Gate-emitter voltage
DC collector current
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
Pulsed collector current,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
Power dissipation per IGBT
T
C
= 25 °C
Chip temperature
Storage temperature
Symbol
V
CE
V
CGR
Values
1200
Unit
V
1200
± 20
V
GE
I
C
50
78
A
I
Cpuls
100
156
P
tot
400
+ 150
-40 ... + 125
W
T
j
T
stg
°C
Thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip case
Diode thermal resistance, chip-case,chopper
Insulation test voltage,
t
= 1min.
Creepage distance
Clearance
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
R
thJC
R
thJC
D
R
THJC
DC
V
is
-
-
-
-
≤
0.3
≤
0.6
≤
0.5
2500
20
11
F
40 / 125 / 56
K/W
Vac
mm
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 50GB120DN2 | Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits |
| 50GB170DN2 | IGBT Module |
| 50GD120DN2 | Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits |
| 50GD120DN2G | IGBT Module |
| 50P827 | Analog IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 50GB0N-1-AA-460 | 制造商:ES 功能描述:2D002-328V-591 |
| 50GB13N-1-A-700 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 50-GC6NLT1 | 制造商:MTU 制造商全稱:MTU 功能描述:GAS Engine-Generator Set |
| 50GD120DLC | 制造商: 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 50GD120DN2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
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