參數(shù)資料
型號(hào)： 4AM12
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array(N溝道/P溝道功率MOSFET陣列)
中文描述： 硅N-Channel/P-Channel功率MOS FET陣列（不適用溝道/頁(yè)溝道功率MOSFET的陣列）
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 41K
代理商： 4AM12
4AM12
Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array
November 1996
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
N-channel: R
DS(on) ≤ 0.075 , VGS = 10 V, ID = 4 A
P-channel: R
DS(on) ≤ 0.12 , VGS = –10 V, ID = –4 A
Capable of 4 V gate drive
Low drive current
High speed switching
High density mounting
Suitable for H-bridged motor driver
Discrete packaged devices of same die
N-channel: 2SK971, 2SK1094
P-channel: 2SJ173, 2SJ176
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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