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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 48SD1616RPFE |
| 廠商： | MAXWELL TECHNOLOGIES |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 256 Mb SDRAM 4-Meg X 16-Bit X 4-Banks |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, DFP72 |
| 封裝： | DFP-72 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 24/42頁(yè) |
| 文件大小： | 596K |
| 代理商： | 48SD1616RPFE |
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48SD1616
M
em
o
ry
30
All data sheets are subject to change without notice
2004 Maxwell Technologies
All rights reserved.
256Mb (4-Meg X 16-Bit X 4-Banks) SDRAM
03.25.04 Rev 3
Read with Auto Precharge to Write command interval
1. Different bank: When some banks are in the active state, the second write command (another bank) is
executed. However, DQMU/DQML must be set High so that the output buffer becomes High-Z before data
input. The internal auto-precharge of one bank starts at the next clock of the second command.
Read with Auto Precharge to Write Command Interval (Different bank)
2. Same bank: The consecutive write command from read with auto precharge ( the same bank) is illegal. It
is necessary to separate the two commands with a bank active command.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 48SD1616RPFI | 制造商:MAXWELL 制造商全稱(chēng):Maxwell Technologies 功能描述:256 Mb SDRAM 4-Meg X 16-Bit X 4-Banks |
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