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參數(shù)資料
| 型號： | 3SK194 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道雙柵場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 3SK194 |
3SK194
5
Forward Transfer Admittance vs.
Gate 1 to Source Voltage
Gate 1 to Source Voltage V
G1S
(V)
F
y
f
30
24
18
12
6
0
0
1
–1
2
4
3
1.5
1
0.5
2
2.5
3
V
GS
V
V
= 6 V
f = 1 kHz
Power Gain vs. Drain Current
Drain Current I
D
(mA)
P
50
40
30
20
10
0
4
8
12
20
16
V
DS
= 6 V
V
= 3 V
f = 200 MHz
Power Gain vs. Drain Current
Drain Current I
D
(mA)
P
20
16
12
8
4
0
4
8
12
20
16
V
DS
= 6 V
V
= 3 V
f = 900 MHz
Power Gain vs. Drain to Source Voltage
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
P
50
40
30
20
10
0
4
8
12
20
16
V
G2S
= 3 V
I
f = 200 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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