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參數(shù)資料
| 型號： | 3LP04MH |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| 中文描述： | P溝道MOSFET的硅通用開關(guān)設(shè)備 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | 3LP04MH |
3LP04MH
No. A0551-3/4
PD -- Ta
Ambient Temperature, Ta --
°
C
A
VGS -- Qg
SW Time -- ID
Ciss, Coss, Crss -- VDS
y
fs
-- ID
IS -- VSD
Drain Current, ID -- mA
S
Drain Current, ID -- mA
F
y
f
Diode Forward Voltage, VSD -- V
S
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
A S O
C
Total Gate Charge, Qg -- nC
G
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
D
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
--4.0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
IT11706
0
--30
--10
--15
--20
--25
--5
IT11705
--10
--100
2
3
5
7
2
3
5
7
1.0
7
10
5
3
2
7
100
5
3
2
IT11704
IT11703
IT11702
--1.0
100
10
--10
2
3
5
7
--100
2
2
3
5
7
3
5
7--1000
7
5
3
2
1000
7
5
3
2
--0.8
--1.0
--0.6
--1.2
--1.4
--0.2
--0.4
0
--1.0
--100
--10
7
5
3
2
7
5
3
2
--1000
7
5
3
2
tf
tr
Crss
Coss
Ciss
VDS= --10V
ID= --200mA
VDS= --10V
T=-25
°
C
75
°
C
25
°
C
100
1000
7
5
7
5
3
2
2
VGS=0V
f=1MHz
2
°
C
-5
°
C
T
7
°
C
td(off)
td(on)
VDS= --15V
VGS= --4V
0
0
20
40
60
80
100
120
0.1
0.2
0.3
0.7
0.6
0.5
0.4
140
160
IT11708
IT11707
--0.1
--1.0
--10
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
--1.0
--0.01
--0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
2
100m
°
C
10m
IDP= --800mA
ID= --200mA
≤
10
μ
s
1m
Mounedonaceamcboad(900mm
2
08mm
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25
°
C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm
2
0.8mm)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 3MBI150U-120 | IGBT Module U-Series 1200V / 150A 3 in one-package |
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參數(shù)描述 |
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