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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 3LP03SS |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| 中文描述： | P溝道MOSFET的硅通用開(kāi)關(guān)設(shè)備 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | 3LP03SS |
3LP03SS
No.8649-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--250mA
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--250mA
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--250mA
IS=--250mA, VGS=0V
9.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
5
15
13
0.8
0.3
0.2
--0.9
--1.2
Package Dimensions
unit : mm
7029-003
Switching Time Test Circuit
0
0.25
0.2
0
0
1.4
0.45
1
3
2
0
0
1
0
0.1
2
3
1
Top View
Bottom View
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : SSFP
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
P.G
50
G
S
D
ID= --120mA
RL=125
VDD= --15V
VOUT
3LP03SS
VIN
0V
--4V
VIN
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ID -- VDS
30V
D
IT07653
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
ID -- VGS
D
IT07654
--0.1
--0.5
0
0
0
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
--0.25
--0.20
--0.15
--0.10
--0.05
--0.30
6V
4V
.V3V
25V
2.0V
VGS=1.5V
--0.45
--0.40
--0.35
--0.30
--0.25
--0.20
--0.15
--0.10
--0.05
--0.50
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
T 2
°
C
-5
°
C
2
°
C
2
°
C
T=5
°
C
7
°
C
VDS= --10V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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| 3LP04MH | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
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