參數(shù)資料
型號： 2STC4467
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 143K
代理商： 2STC4467
2STC4467
Electrical characteristics
3/8
2
Electrical characteristics
(Tcase = 25 °C; unless otherwise specified)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = 120 V
10
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 6 V
10
A
V(BR)CEO
(1)
1.
Pulsed duration = 300 s, duty cycle
≤ 1.5%
Collector-emitter breakdown
voltage (IB = 0)
IC = 50 mA
120
V
V(BR)CBO
Collector-base breakdown
voltage (IE = 0)
IC = 100 A
120
V
V(BR)EBO
(1) Emitter-base breakdown voltage
(IC = 0)
IE = 1 mA
6V
VCE(sat)
(1) Collector-emitter saturation
voltage
IC = 3 A
IB = 300 mA
1.5
V
hFE
DC current gain
IC = 3 A
VCE = 4 V
70
140
fT
Transition frequency
IC = 0.5 A
VCE = 12 V
20
MHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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