參數(shù)資料
型號: 2STA2120
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 17 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大?。?/td> 152K
代理商: 2STA2120
November 2008
Rev 3
1/8
8
2STA2120
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor
Features
High breakdown voltage VCEO = -250 V
Complementary to 2STC5948
Typical ft = 25 MHz
Fully characterized at 125
oC
Application
Audio power amplifier
Description
The device is a PNP transistor manufactured
using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear
amplifier) technology. The resulting transistor
shows good gain linearity behaviour.
Figure 1.
Internal schematic diagram
TO-3P
1
2
3
Table 1.
Device summary
Order code
Marking
Package
Packaging
2STA2120
TO-3P
Tube
相關PDF資料
PDF描述
2STF1525 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STL1525 5000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2STW1695 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
2STW200 25 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
2STW100 25 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2STA2121 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STA2510 功能描述:兩極晶體管 - BJT High power PNP Bipolar transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STB121PM 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRIVE IC
2STBN15D100 功能描述:達林頓晶體管 Low Volt NPN Darlington Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2STBN15D100T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT Low Voltage NPN 750 hFE 100V Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2