參數(shù)資料
型號: 2SK665
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, SC-70, SMINI3-G1, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大?。?/td> 35K
代理商: 2SK665
2
Silicon MOS FETs (Small Signal)
P
D
Ta
I
D
V
DS
I
D
V
GS
| Y
fs
|
V
GS
C
iss
, C
oss
V
DS
R
DS(on)
V
GS
V
IN
I
O
2SK665
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
240
200
160
120
80
40
Ambient temperature Ta (C)
A
D
0
Drain to source voltage V
DS
(V)
10
8
2
6
4
0
120
100
80
60
40
20
Ta=25C
5.5V
5.0V
4.0V
3.0V
4.5V
3.5V
V
GS
=6.0V
D
D
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
10
8
2
6
4
0
120
100
80
60
40
20
V
DS
=5V
Ta=–25C
25C
75C
D
D
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
10
8
2
6
4
0
50
40
30
20
10
V
=5V
Ta=25C
F
f
|
0.1
Drain to source voltage V
DS
(V)
1
10
100
0.3
3
30
0
12
10
8
6
4
2
V
=0
f=1MHz
Ta=25C
C
iss
C
oss
I
O
i
,
o
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
10
8
2
6
4
0
120
100
80
60
40
20
Ta=75C
25C
–25C
I
D
=20mA
D
D
)
0.1
1
10
100
0.3
Output current I
O
(mA)
3
30
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
=1V
Ta=25C
I
I
相關PDF資料
PDF描述
2SK678 2SK678
2SK684 SILICON N-CHANNEL MOS FET
2SK685 SILICON N-CHANNEL MOS FET
2SK701 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR
2SK705 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SK666 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 4V V(BR)DSS | 150MA I(D) | MICRO-X
2SK669 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH.HF 50V 0.1A SPA
2SK669-AC 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK672 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
2SK673 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB