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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK4203LS |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 18 A, 45 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220FI(LS), 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | 2SK4203LS |
2SK4203LS
No. A1289-2/5
16.
0
14.
0
3.
6
3.
5
7.
2
16.
1
0.7
2.55
2.
4
1.2
0.9
0.75
0.
6
1.2
4.5
2.8
12 3
10.0
3.2
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : TO-220FI(LS)
Continued from preceding page.
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=10V, ID=9A
5.4
9.0
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=9A, VGS=10V
26
34
mΩ
RDS(on)2
ID=9A, VGS=4V
46
64
mΩ
Input Capacitance
Ciss
VDS=20V, f=1MHz
1020
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=20V, f=1MHz
140
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=20V, f=1MHz
100
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
12
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
71
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
76
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
59
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=24V, VGS=10V, ID=18A
21
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=24V, VGS=10V, ID=18A
4
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=24V, VGS=10V, ID=18A
5
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=18A, VGS=0V
1.0
1.2
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7509-002
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID=9A
RL=2.67Ω
VDD=24V
VOUT
2SK4203LS
VIN
10V
0V
VIN
Switching Time Test Circuit
Avalanche Resistance Test Circuit
50Ω
10V
0V
≥50Ω
VDD
L
2SK4203LS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK707 | 25 A, 250 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK801-Z | 2 A, 30 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK801-Z-T1 | 2 A, 30 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 400BXC10M10x20 | MINIATURE ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS |
| 400BXC15M12.5x20 | MINIATURE ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK4204LS | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| 2SK4207 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Swiching Regulator Applications |
| 2SK4207(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-ch 900V 13A150W TO-3P(N) 制造商:Toshiba 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK4209 | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK421 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220VAR |
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