參數(shù)資料
型號： 2SK4179GS
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： 80 A, 75 V, 0.0137 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 276K
代理商： 2SK4179GS
2SK4179GS
No. A1498-2/5
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Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=10V, ID=1mA
24
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=10V, ID=40A
35
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)
ID=40A, VGS=10V
10.5
13.7
mΩ
Input Capacitance
Ciss
VDS=20V, f=1MHz
5400
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=20V, f=1MHz
480
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=20V, f=1MHz
350
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
62
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
335
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
220
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
160
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=30V, VGS=10V, ID=80A
100
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=30V, VGS=10V, ID=80A
30
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=30V, VGS=10V, ID=80A
28
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=80A, VGS=0V
1.07
1.5
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7530-001
Switching Time Test Circuit
Avalanche Resistance Test Circuit
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : TO-220(LS)
123
0.8
0.4
2.55
10.2
1.2
4.5
15.1
14.0
2.7
(1.6)
14.0
3.6
6.3
1.3
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID=40A
RL=0.75Ω
VDD=30V
VOUT
2SK4179GS
VIN
10V
0V
VIN
50Ω
10V
0V
≥50Ω
VDD
L
2SK4179GS
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PDF描述
2SK4179 80 A, 75 V, 0.0137 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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