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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK4179 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 80 A, 75 V, 0.0137 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | 2SK4179 |
2SK4179
No. A1269-2/5
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS
ID=1mA, VGS=0V
75
V
Zero-Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS=75V, VGS=0V
1
μA
Gate-to-Source Leakage Current
IGSS
VGS= ±16V, VDS=0V
±10
μA
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=10V, ID=1mA
2
4
V
Forward Transfer Admittance
yfs
VDS=10V, ID=40A
21
35
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)
ID=40A, VGS=10V
10.5
13.7
mΩ
Input Capacitance
Ciss
VDS=20V, f=1MHz
5400
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=20V, f=1MHz
480
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=20V, f=1MHz
350
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
62
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
335
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
220
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
160
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=30V, VGS=10V, ID=80A
100
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=30V, VGS=10V, ID=80A
30
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=30V, VGS=10V, ID=80A
28
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=80A, VGS=0V
1.07
1.5
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7507-002
Switching Time Test Circuit
Avalanche Resistance Test Circuit
10.2
5.1
4.5
1.3
15.1
14.0
2.7
6.3
3.6
18.0
(5.6)
2.7
1.2
0.8
0.4
2.55
12
3
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : TO-220
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID=40A
RL=0.75Ω
VDD=30V
VOUT
2SK4179
VIN
10V
0V
VIN
50Ω
10V
0V
≥50Ω
VDD
L
2SK4179
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