參數(shù)資料
型號： 2SK4059TK
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon N Channel Junction Type For ECM
中文描述： 硅?頻道聯(lián)合類型流腦
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 154K
代理商： 2SK4059TK
2SK4059TK
2007-11-01
2
Electrical Characteristics
(Ta=25°C)
Time Output Stability Test Method
a) TEST CIRCUIT
b) TEST SIGNAL
V
DD=2.0V
2
Ω
Vout
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
A
140
240
B
210
350
BK
210
400
Drain Current
I
DSS
V
DS
=
2 V, V
GS
=
0
C
320
500
μA
A
125
260
B
190
370
BK
190
420
Drain Current
I
D
V
DD
=
2 V, RL= 2.2k
Ω
,Cg
=
5pF
C
290
500
μA
Gate-Source Cut-off Voltage V
GS(OFF)
V
DS
=
2 V, I
D
=
1
μ
A
-0.1
-1.0
V
Forward transfer admittance
|Y
fs
|
V
DS
=
2 V,V
GS
=
0V
1.35
1.85
mS
Gate-Drain Voltage
V
(BR)GDO
IG=-10
μ
A
-20
V
Input capacitance
C
iss
V
DS
=
2 V, V
GS
=
0, f
=
1 MHz
4.0
pF
A
-1.2
+0.9
B
-0.2
+1.4
BK
-0.2
+1.7
Voltage Gain
Gv
V
DD
=
2V, RL= 2.2k
Ω
,Cg
=
5pF, f
=
1kHz,vin=100mV
C
+0.5
+1.8
dB
Delta Voltage Gain
DGv(f)
V
DD
=
2V, RL= 2.2k
Ω
,Cg
=
5pF,f
=
1kHz~100Hz,vin=100mV
0
-1
dB
A
-0.6
-1.1
B
-0.8
-1.7
BK
-1.1
-2.0
Delta Voltage Gain
DGv(V)
V
DD
=
2V~1.5V, RL= 2.2k
Ω
,Cg
=
5pF,f
=
1kHz,
vin=100mV
C
-1.4
-3.2
dB
A
33
75
B
38
80
BK
40
85
Noise Voltage
VN
V
DD
=
2V, RL= 1k
Ω
,Cg
=
10pF,Gv=80dB, A-Curve Filter
C
42
90
mV
A
1.3
B
0.6
BK
0.5
Total Harmonic Distortion
THD
V
DD
=
2V, RL= 2.2k
Ω
,Cg
=
5pF, f
=
1kHz, vin=50mV
C
0.1
%
Time Output Stability
tos
V
DD
=
2V, RL= 2.2k
Ω
,Cg
=
5pF
100
200
ms
5
t
os
90%
V
DD-ID*RL
50%
2V
0V
V
DD
0V
Vout
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK4059TV Silicon N Channel Junction Type For ECM
2SK405 2SK405
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2SK4108 RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
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