參數(shù)資料
型號(hào): 2SK3984-ZK
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 18000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
封裝: TO-252, MP-3ZK, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
文件大小: 173K
代理商: 2SK3984-ZK
Data Sheet D18785EJ2V0DS
7
2SK4081
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-251 (MP-3-a)
2) TO-251 (MP-3-b)
6.6
±0.2
Mold Area
2.3
±0.1
0.5
±0.1
0.76
±0.1
0.5
±0.1
No Plating
5.3 TYP.
0.7
TYP.
6.1
±
0.2
1.8
±
0.2
9.3
TYP.
4.0
MIN
.
1.02
TYP.
16.1
TYP.
4.3 MIN.
1
4
23
1.14 MAX.
2.3 TYP.
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
6.6±0.2
2.3±0.1
0.5±0.1
0.76±0.12
0.5±0.1
5.3 TYP.
2.3 TYP.
1.14 MAX.
1.06
TYP.
11.25
TYP.
4.13
TYP.
1.04
TYP.
6.1±0.2
1.1±0.13
2
13
4
3) TO-252 (MP-3ZK)
EQUIVALENT CIRCUIT
6.5
±0.2
2.3
±0.1
0.5
±0.1
0.76
±0.12
0 to 0.25
0.5
±0.1
1.0
No Plating
5.1 TYP.
1.0
TYP.
6.1
±
0.2
0.51
MIN.
4.0
MIN
.
0.8
10.4
MAX.
(9.8
TYP.)
4.3 MIN.
1
4
23
1.14 MAX.
2.3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
Body
Diode
Source
Drain
Gate
Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately degrade
the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as possible, and quickly
dissipate it once, when it has occurred.
<R>
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3988-01 3 A, 600 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3989-01MR 3 A, 600 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3993 64000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
2SK3993-ZK 64000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4016 13 A, 600 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3984-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3991-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3991-ZK-E2-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3992-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3992-ZK-E2-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件