型號: | 2SK372GR |
英文描述: | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
中文描述: | 晶體管|場效應(yīng)| N溝道| 5mA的我(直)| SPAK |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大?。?/td> | 135K |
代理商: | 2SK372GR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK372Y | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 14MA I(DSS) | SPAK |
2SK373GR | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
2SK373O | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 600UA I(DSS) | TO-92 |
2SK373Y | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
2SK376 | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 60UA I(DSS) | SPAK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SK372-GR(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Bulk |
2SK3737-5-TL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 15V 30MA 3MCP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
2SK3737-6-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH.HF 15V 0.03A SOT323 |
2SK3738-TL-E | 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
2SK3740-ZK-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Transistor,FET,Nch,250V/20A,TO263 |