參數(shù)資料
型號： 2SK3667
廠商： Toshiba Corporation
元件分類： 基準(zhǔn)電壓源/電流源
英文描述： RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
中文描述： 抗輻射高效，5安培開關(guān)穩(wěn)壓器
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 226K
代理商： 2SK3667
2SK3667
2004-12-07
5
400
300
200
100
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
0.001
10
μ
100
μ
1
ｍ
10
ｍ
100
ｍ
1
10
T
PDM
t
Duty
=
t/T
Rth (ch-c)
=
2.78°C/W
0.2
0.1
0.02
0.01
0.05
CHANNEL TEMPERATURE (INITIAL)
T
ch
(°C)
E
AS
– T
ch
A
E
A
r
th
– t
w
PULSE WIDTH t
w
(s)
N
I
t
/
t
Duty=0.5
SINGLE PULSE
15
V
15
V
TEST CIRCUIT
WAVE FORM
I
AR
B
VDSS
V
DD
V
DS
R
G
=
25
V
DD
=
90 V, L
=
5.88mH
=
VDD
BVDSS
BVDSS
2
I
L
2
1
Ε
AS
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
SAFE OPERATING AREA
0.1
1
1
10
100
10
1000
100
0.01
※
SINGLE NONREPETITIVE PULSE
Tc=25
℃
CURVES
MUST
BE
DERATED
LINEARLY
WITH
INCREASE
IN
TEMPERATURE
.
ID max (PULSED)
*
ID max (CONTINUOUS)
*
DC OPERATION
Tc
=
25°C
100
μ
s
*
1 ms
*
VDSS max
D
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3669 Single Audio Amplifier
2SK366 N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR AUDIO AMPLIFIER, ANALOG SWITCH, CONSTANT CURRENT AND IMPEDANCE CONVERTER APPLICATIONS)
2SK3673-01MR N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3677-01MR N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3679-01MR STD LQg MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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