參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3577
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
中文描述： N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 70K
代理商： 2SK3577
Data Sheet D15938EJ1V0DS
4
2SK3577
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
0
5
10
15
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
2.5 V
V
GS
= 4.5 V
Pulsed
4.0 V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
1
2
3
V
DS
= 10 V
Pulsed
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
0.5
1
1.5
-50
0
50
100
150
V
DS
= 10 V
I
D
= 1.0 mA
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
|
f
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
= 10 V
Pulsed
T
A
=
25°C
25°C
75°C
125°C
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
D
30
40
50
60
70
80
90
100
110
-50
0
50
100
150
I
D
= 2.0 A
Pulsed
4.5 V
4.0 V
V
GS
= 2.5 V
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
D
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
2
4
6
8
10
12
Pulsed
I
D
= 2.0 A
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
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PDF描述
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2SK3586-01 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET N TO-220AB
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