參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3543
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSV)
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山類(lèi)型（喝醉MOSV）
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 234K
代理商： 2SK3543
2SK3543
2002-09-04
3
F
f
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
I
D
– V
GS
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
V
DS
– V
GS
Drain current I
D
(A)
Y
fs
I
D
Drain current I
D
(A)
R
DS (ON)
I
D
D
R
D
Common source
Tc 25°C
pulse test
0
5
1
3
2
4
10
0
50
20
30
40
VGS 4.25 V
5.5
4.75
10
6.0
5.0
5.25
5.75
8.0
0
2.0
0.4
1.2
0.8
1.6
2
0
10
4
6
8
Common source
Tc 25°C
pulse test
VGS 4.0 V
4.5
5.0
10
8.0
4.25
6.0
4.75
5.25
Common source
VDS 20 V
pulse test
0
5
1
3
2
4
2
0
10
4
6
8
Tc 55°C
25
100
0
10
2
6
4
8
4
0
20
8
12
16
0.5
Common source
Tc 25°C
pulse test
1.0
ID 2.0 A
25
0.2
0.1
10
10
3
1
0.3
0.5
0.5
1
3
5
0.3
Common source
VDS 20 V
pulse test
Tc 55°C
100
5
0.1
1
0.3
0.5
3
5
1
10
5
30
3
0.5
Common source
Tc 25°C
Pulse test
VGS 10, 15 V
10
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PDF描述
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