參數(shù)資料
型號： 2SK3535-01
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： 3.4 A, 250 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TFP, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： 2SK3535-01
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
1
10
2
10
3
Typical Switching Characteristics vs. ID
td(on)
tr
tf
td(off)
t[ns]
ID [A]
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0.1
1
10
100
IF
[A]
VSD [V]
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode
2SK3535-01
FUJI POWER MOSFET
VGS=f(Qg):ID=25A, Tch=25°C
IF=f(VSD):80s Pulse test,Tch=25°C
t=f(ID):Vcc=72V, VGS=10V, RG=10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
max.
min.
Gate Threshold Voltage vs. Tch
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=1mA
VGS(th)
[V]
Tch [
°C]
0
10
2030
4050
60
0
2
4
6
8
10
12
14
Qg [C]
Typical Gate Charge Characteristics
VGS
[V]
96V
72V
Vcc= 36V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
RD
S
(o
n
)[
m
]
Tch [
°C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=12.5A,VGS=10V
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
C
[
n
F
]
VDS [V]
Typical Capacitance
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz
Crss
Coss
Ciss
相關PDF資料
PDF描述
2SK3572-AZ 80 A, 20 V, 0.0099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3572-ZK 80 A, 20 V, 0.0099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
2SK3572 80 A, 20 V, 0.0099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3572-AZ 80 A, 20 V, 0.0099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3572-S 80 A, 20 V, 0.0099 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3537-01MRSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK353900L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3539G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3541GT2L 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:SMALL SIGNAL TRANSISTORS
2SK3541T2L 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*