- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄351887 > 2SK345 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SK345 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 40V的五（巴西）直| 5A條（丁）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | 2SK345 |
2SK3461(L), 2SK3461(S)
6
0.1
0.3
1
3
10
30
100
010
20
30
40
50
1000
10000
3000
100
80
60
40
20
0
20
16
12
8
4
80
160
240
320
400
0
1000
100
200
20
10
0.1 0.2
2
10
100
1000
500
100
200
20
50
10
di / dt = 50 A /
s
V
= 0, Ta = 25
°C
GS
300
20
1
100
V
= 0
f = 1 MHz
GS
Ciss
Coss
Crss
I
= 85 A
D
VGS
VDS
V
= 50 V
25 V
10 V
DS
0.5
5
V
= 50 V
25 V
10 V
DS
500
50
V
= 10 V, V
= 30 V
PW = 5
s, duty < 1 %
GS
DD
r
t
d(on)
t
d(off)
t
t f
30000
Reverse Drain Current
IDR (A)
Reverse
Recovery
Time
trr
(ns)
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Capacitance
C
(pF)
Drain to Source Voltage
VDS (V)
Switching
Time
t
(ns)
Drain Current
ID (A)
Switching Characteristics
Gate Charge
Qg (nc)
Collector
to
Emitter
Voltage
V
DS
(V)
Gate
to
Emitter
Voltage
V
GS
(V)
Dynamic Input Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3450-01 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK3451-01MR | STD MOSFET |
| 2SK346 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK3460 | MOSFET |
| 2SK3474-01 | STD MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3450-01 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:STD MOSFET |
| 2SK3450-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3451-01 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof |
| 2SK3451-01MR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:STD MOSFET |
| 2SK3451-01MRSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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