參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3430
元件分類： JFETs
英文描述： 80 A, 40 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： MP-25, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： 2SK3430
Data Sheet D14599EJ3V0DS
7
2SK3430
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1)
TO-220AB(MP-25)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0 TYP.
3.6±0.2
4
3.0±0.3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
5.9
MIN.
6.0
MAX.
15.5
MAX.
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
φ
2)
TO-262(MP-25 Fin Cut)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
10 TYP.
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
8.5±
0.2
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1.0±0
.5
4
3)
TO-263 (MP-25ZJ)
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
5.7±0.4
4
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
10 TYP.
0.5R
TYP.
0.8R
TYP.
2.8±0.2
4) TO-220SMD (MP-25Z)
Note
10 TYP.
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
3.0±0.5
1.1±0.4
4
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
0.5R
TYP.
0.8R
TYP.
0.75±0.3
2.8±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
Note This package is produced only in Japan.
.
Remark
The diode connected between the gate and source of
the transistor serves as a protector against ESD. When
this device actually used, an additional protection circuit
is externally required if a voltage exceeding the rated
voltage may be applied to this device.
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
5
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PDF描述
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2SK3483 28000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
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