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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3325 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類(lèi)： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | 2SK3325 |
Data Sheet D14264EJ1V0DS00
7
2SK3325
PACKAGE DRAWINGS (Unit : mm)
1)TO-220AB (MP-25)
2)TO-262 (MP-25 Fin Cut)
3)TO-263 (MP-25ZJ)
EQUIVALENT CIRCUIT
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0
3.6±0.2
φ
4
3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
5
6
1
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
(10)
4
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1
(10)
1.4±0.2
1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
2
3
5
4
2
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
(05R
(08R
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
Source
Body
Diode
Gate
Drain
Remark
Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and
ultimately degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as
much as possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3325-S | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3325-ZJ | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3326 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK332 | SILICON N CHANNEL TRANSISTOR |
| 2SK3352 | P- Channel Silicon MOS FET DC-DC Converter |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3325(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3325-S | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3325-Z(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3325-Z-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Cut Tape |
| 2SK3325-ZJ | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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