參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3288
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching
中文描述： 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： 2SK3288
2SK3288
4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
2
4
6
8
10
0.1
0.5
0.2
50
20
10
2
5
1.0
0.5
10
8
6
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2
–40
0
40
80
120
160
0
1.0
I = 100mA
50m A
Pulse Test
Pulse Test
V = 4V
10 V
Pulse Test
I = 100m A
V = 4 V
10 V
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
V
D
D
Drain Current I (A)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
Case Temperature Tc (°C)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
|
Drain Current I (A)
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
F
10m A
10mA
10mA,50mA,100m A
50mA
0.01
0.02
0.05
0.1
0.5
0.2
0.1
0.02
0.05
0.01
0.005
V = 10 V
Pulse Test
Tc = –25 °C
25 °C
75 °C
S
(
D
R
S
(
D
R
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PDF描述
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參數(shù)描述
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