參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3274
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Slilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： Slilicon ?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大小： 76K
代理商： 2SK3274
2SK3274(L), 2SK3274(S)
3
Electrical Characteristics (Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unijt
Test conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
30
—
—
V
I
D
= 10 mA, V
GS
= 0
Gate to source leak current
I
GSS
I
DSS
V
GS(off)
|y
fs
|
R
DS(on)
R
DS(on)
Ciss
—
—
±
0.1
μ
A
μ
A
V
GS
=
±
20 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V, I
D
= 1 mA*
1
I
D
= 15 A, V
DS
= 10 V*
1
I
D
= 15 A, V
GS
= 10 V*
1
I
D
= 15 A, V
GS
= 4.5 V*
1
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
f = 1 MHz
Zero gate voltage drain current
—
—
10
Gate to source cutoff voltage
1.5
—
3.0
V
Forward transfer admittance
18
30
—
S
Static drain to source on state
—
10
13
m
m
resistance
—
20
30
Input capacitance
—
1500
—
pF
Output capacitance
Coss
—
500
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
250
—
pF
Total gate charge
Qg
—
27
—
nc
V
DD
= 10 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A
R
L
= 2
Gate to source charge
Qgs
—
6
—
nc
Gate to drain charge
Qgd
—
5
—
nc
Turn-on delay time
td(on)
—
22
—
ns
Rise time
tr
—
170
—
ns
Turn-off delay time
td(off)
—
110
—
ns
Fall time
tf
—
145
—
ns
Body-drain diode forward
voltage
V
DF
—
1.0
—
V
I
F
= 30 A, V
GS
= 0
Body-drain diode reverse
recovery time
Note:
1. Pulse test
trr
—
35
—
ns
I
= 30 A, V
= 0
diF/dt = 50 A/
μ
s
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PDF描述
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