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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3136 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 143K |
| 代理商： | 2SK3136 |
2SK3136
2
Outline
TO–220AB
1
2
3
1. Gate
2. Drain(Flange)
3. Source
D
G
S
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
1
I
DR
I
AP
*
3
E
AR
*
3
Pch
*
2
40
±
20
75
V
Gate to source voltage
V
Drain current
A
Drain peak current
300
A
Body-drain diode reverse drain current
75
A
Avalanche current
50
A
Avalanche energy
333
mJ
Channel dissipation
100
W
°
C
°
C
Channel temperature
Tch
150
Storage temperature
1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
3. Value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
Tstg
–55 to +150
Note:
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3140 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK3141 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK3142 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3147 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK3147L | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3136-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3140 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3140(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK3141 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3141-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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