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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3120 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 中文描述： | 超高速開關(guān)應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 136K |
| 代理商： | 2SK3120 |
2SK3120
No.6103–3/4
8
4
0
12
16
20
24
28
32
SW Time
-
ID
PD
-
Ta
PD
-
Tc
VDD=15V
VGS=10V
2
3
5
7
2
3
5
7
7
2
3
5
7
2
3
5
7
Ciss,Coss,Crss
-
VDS
VGS
-
Qg
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
2
3
5
7
2
3
5
7
VDS=10V
ID=2A
td(on)
tr
td(off)
tf
100
20
60
40
Ambient Temperature, Ta –
°
C
80
120
100
140
160
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.3
1.4
20
60
40
Case Temperature, Tc –
°
C
80
120
100
140
160
0
0
1.0
2.0
3.0
3.5
4.0
10
1000
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
1.0
100
1.0
10
0.1
C
Drain-to-Source Voltage,VDS– V
Total Gate Charge, Qg
A S O
–
nC
G
Drain-to-Source Voltage,VDS– V
Drain Current, ID– A
S
D
A
A
Mounedonacrmcbord(250mm
2
×
08mm
VDS=10V
VGS=0
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
Tc=-25
°
C
75
°
C
25
°
C
T-
°
C
2
°
C
7
°
C
IF
-
VSD
2
3
5
7
2
3
5
7
0.1
0.01
0.1
Drain Current, ID– A
1.0
10
1.0
10
0.1
0.01
1.0
10
0
0.2
0.4
0.6
1.0
0.8
1.2
1.4
F
Diode Forward Voltage, VSD– V
F
|yfs |
-
ID
IDP=8A
2
3
5
7
2
3
5
7
2
2
3
5
7
5
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
0.1
0.01
1.0
10
10
1.0
0.1
Operation in this area
is limited by RDS(on).
100
μ
s
1ms
100ms
10ms
DC operation
ID=2A
Tc=25C
1pulse
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3121 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK3122 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK3133L | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3133S | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3133 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3121 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK3122 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK3123 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 2SK3124 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
| 2SK3125 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI) |
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