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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3061 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | 2SK3061 |
Data Sheet D13100EJ1V0DS00
4
2SK3061
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
r
t
10
0.001
0.01
0.1
1
100
1000
1
m
10
m
100
m
1
10
100
1000
10
μ
μ
100
T
C
= 25C
Single Pulse
R
th(ch-C)
= 3.57
C/W
R
th(ch-A)
= 62.5
C/W
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
|
y
f
|
V
=
10
V
Pulsed
0.1
1.0
1
10
100
10
100
T
ch
=
25C
25C
75C
125C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
30
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
0
5
20
10
10
15
Pulsed
I
D
=
35
A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
R
D
1
0.1
30
10
100
0
10
20
Pulsed
10
V
V
GS
=
4.0
V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature - C
V
G
V
DS
= 10
V
I
D
= 1
mA
50
0
50
100
150
0
1.0
2.0
1.5
0.5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3065 | Small switching (60V, 2A) |
| 2SK3069 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3070 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3070L | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3076L | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SK3062 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3062(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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