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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3043 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
| 中文描述： | 5 A, 450 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-220D-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | 2SK3043 |
3
Power F-MOS FETs
2SK3043
C
iss
, C
oss
, C
rss
V
DS
V
DS
, V
GS
Q
g
t
d(on)
, t
r
, t
f
, t
d(off)
I
D
R
th(t)
t
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
10
–2
10
–1
1
10
10
2
(1) Without heat sink
(2) With a 100
×
100
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
T
t
(
0
Drain to source voltage V
DS
(V)
50
100
150
200
250
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
C
iss
C
oss
C
rss
f=1MHz
T
C
=25C
I
R
i
,
o
,
r
0
10
20
30
40
50
60
0
400
300
100
250
350
200
50
150
0
20
15
5
10
V
GS
V
DS
V
DS
=90V
225V
330V
I
D
=5A
T
C
=25C
G
G
Gate charge amount Q
g
(nC)
D
D
0
1
Drain current I
D
(A)
2
3
4
5
0
20
40
60
80
100
120
t
d(off)
t
d(on)
t
r
t
f
V
DD
=150V
V
GS
=10V
T
C
=25C
S
d
,
r
,
f
,
d
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3044 | Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
| 2SK3045 | Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
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參數(shù)描述 |
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| 2SK3045 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3046 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 7A TO-220D RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3047 | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3048 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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