- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371552 > 2SK3042 (PANASONIC CORP) Silicon N-Channel Power F-MOS FET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3042 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
| 中文描述： | 7 A, 250 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220D |
| 封裝： | TO-220D, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | 2SK3042 |
2
Power F-MOS FETs
Area of safe operation (ASO)
P
D
Ta
I
D
V
DS
I
D
V
GS
V
GS
T
C
V
th
T
C
R
DS(on)
I
D
| Y
fs
|
I
D
C
iss
, C
oss
, C
rss
V
DS
2SK3042
1
Drain to source voltage V
DS
(V)
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
t =10
μ
s
100
μ
s
DC
1ms
10ms
100ms
D
D
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
60
50
40
30
20
10
(1) T
=Ta
(2) Without heat sink
(1)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
A
D
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
12
10
8
2
6
4
0
2
4
6
8
10
V
DS
=10V
T
C
=0C
25C
75C
125C
150C
D
D
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
=25V
I
D
=1mA
Case temperature T
C
(C)
G
t
0
10
8
2
Drain current I
D
(A)
6
4
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
T
C
=25C
V
GS
=10V
15V
D
D
)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
8
6
2
5
7
4
1
3
V
DS
=10V
T
C
=25C
Drain current I
D
(A)
F
f
|
0
Drain to source voltage V
DS
(V)
40
80
120
160
200
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
f=1MHz
T
C
=25C
C
iss
C
oss
C
rss
I
R
i
,
o
,
r
0
25
50
75
100
125
150
5.0
5.2
5.4
5.6
5.8
6.0
6.2
6.4
6.6
V
DS
=10V
I
D
=3A
Case temperature T
C
(C)
G
G
0
Drain to source voltage V
DS
(V)
5
10
15
20
2
4
6
8
10
12
14
16
0
6.5V
7.5V
10V
55V
6V
7V
40W
V
GS
=15V
T
C
=25C
D
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3043 | Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
| 2SK3044 | Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
| 2SK3045 | Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
| 2SK3046 | Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
| 2SK3047 | Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3043 | 功能描述:MOSFET N-CH 450V 5A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3044 | 功能描述:MOSFET N-CH 450V 7A TO-220D RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3045 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3046 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 7A TO-220D RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3047 | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。