參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3001
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： GaAs HEMT Low Noise Amplifier
中文描述： 砷化鎵遷移率晶體管低噪聲放大器
文件頁(yè)數(shù)： 2/14頁(yè)
文件大?。?/td> 107K
代理商： 2SK3001
2SK3001
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSO
V
GDO
I
D
Pch
6
V
Gate to source voltage
–4
V
Gate to drain voltage
–4
V
Drain current
20
mA
Channel dissipation
100
mW
Channel temperature
Tch
125
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +125
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Gate to source leak current
I
GSS
V
GS(off)
I
DSS
—
—
–20
μ
A
V
GS
= –4 V, V
DS
= 0
V
DS
= 3V, I
D
= 100
μ
A
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0
Pulse test
Gate to source cutoff voltage
–0.5
—
–1.5
V
Drain to source current
35
50
70
mA
Forward transfer admittance
|y
fs
|
40
60
—
mS
V
DS
= 3 V, I
D
=10 mA
f = 1 kHz
Power Gain
PG
15.0
18.0
—
dB
V
DS
= 3 V, I
D
= 5 mA
f = 0.9 GHz
Noise Figure
NF
—
0.8
1.2
dB
Associated gain
Ga
—
21.0
—
dB
V
DS
= 3 V, I
D
= 5 mA
f = 0.8 Ghz, Zs =Zsopt
Minimum noise figure
Fmin
—
0.7
—
dB
Associated gain
Ga
—
16.0
—
dB
V
DS
= 3 V, I
D
= 5 mA
f = 1.8 Ghz, Zs = Zsopt
Minimum noise figure
Fmin
—
0.75
—
dB
Note:
Marking of 2SK3001 is “YX–”
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