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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2864 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 200 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ZP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 28K |
| 代理商： | 2SK2864 |
2SK2864
No.6610-2/4
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
Case Temperature, Tc --
°C
RDS(on) -- Tc
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- VGS
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
ID -- VGS
Drain
Current,
I
D
-
A
ID -- VDS
0
1
234
56
7
8
IT01918
IT01919
Tc=25
°C
ID=10A
0
2
4
6
8
10
121416
200
160
120
80
40
180
140
100
60
IT01920
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
250
200
150
100
50
0
140
160
IT01921
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
012345
0
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
VGS=4V
5V
6V
8V
10V
15V
--25
°C
25
°C
Tc=75
°C
VDS=10V
VGS=10V
ID=10A
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Input Capacitance
Ciss1
VDS=0, f=1MHz
3000
3800
pF
Ciss2
VDS=20V, f=1MHz
1700
2150
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=20V, f=1MHz
400
420
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=20V, f=1MHz
150
185
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit
28
35
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit
85
110
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit
130
165
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit
90
105
ns
Diode Forward Voltage
VSD
IS=20A, VGS=0
1.0
1.5
V
Gate resistance
Rg
f=1MHz
1.0
2.0
3.0
Switching Time Test Circuit
PW=10
s
D.C.
≤1%
10V
0V
P.G
50
G
S
D
ID=10A
RL=10
VDD=100V
VOUT
2SK2864
VIN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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