型號: | 2SK2826-Z |
英文描述: | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直| 70A條(?。﹟對263AB |
文件頁數(shù): | 1/14頁 |
文件大小: | 581K |
代理商: | 2SK2826-Z |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK283R3 | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1.2MA I(DSS) | SOT-23 |
2SK283R4 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
2SK283R5 | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 5MA I(DSS) | SOT-23 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SK2826-Z(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SK2827-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
2SK2835TP | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 5A 3PIN TPS - Tape and Reel |
2SK2837 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
2SK2837(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 500V 20A 3PIN 2-16C1C - Rail/Tube 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 500V 20A 0.27@10V TO3P(N) Bulk |