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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2791TP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 4000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | TP, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | 2SK2791TP |
2SK2791
No.6437–2/4
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C
C
Electrical Characteristics at Ta = 25C
Tc=25C
Switching Time Test Circuit
PW=10
s
D.C.
≤1%
10V
0V
VIN
P.G
50
G
S
ID=2A
RL=15
VDD=30V
VOUT
VIN
D
2SK2791
r
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G
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=9
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.
1V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SK2838(2-10S1B) | 5.5 A, 400 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2839 | 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2846 | 2 A, 600 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2857-AZ | 4000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SK2792 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2793 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2796-L(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:60V 5A DPAK-3 制造商:Renesas Electronics 功能描述:60V 5A DPAK-3 Bulk |
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