參數(shù)資料
型號： 2SK2690-01
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel MOS-FET
中文描述： 80 A, 60 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-228AA
封裝： SC-65, TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 406K
代理商： 2SK2690-01
N-channel MOS-FET
60V
0,01
> Characteristics
2SK2690-01
FAP-IIIB Series
80A
125W
This specification is subject to change without notice!
Power Dissipation
P
D
=f(T
C
)
0
25
50
75
100
125
0
25
50
75
100
125
150
T
C
[°C]
P
D
D
Maximum Avalanche Current vs. starting T
ch
I
AV
=f(starting T
ch
)
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
starting T
ch
[°C]
I
A
A
相關PDF資料
PDF描述
2SK2690 N-channel MOS-FET
2SK2691-01R N-channel MOS-FET
2SK2695-01 N-channel MOS-FET
2SK2698 N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, DC-DC CONVERTER, RELAY DRIVE AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS)
2SK2699 N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2690-01SC-P 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK2691-01RSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK2698 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 15A Rdson 0.4 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SK2698(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N TO-3P
2SK2698(F,T) 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 15A Rdson 0.4 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*