參數(shù)資料
型號: 2SK2624LS
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: Ultrahigh-Speed Switching Applications
中文描述: 超高速開關(guān)應(yīng)用
文件頁數(shù): 2/4頁
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代理商: 2SK2624LS
2SK2624LS
No.5404–2/4
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Switching Time Test Circuit
PW=1
μ
s
D.C.
0.5%
P.G
RGS
50
G
S
ID=1.8A
RL=111
VDD=200V
VGS=15V
VOUT
2SK2624LS
D
25
°
C
75
°
C
0
ID -- VGS
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
2.5
2.0
1.5
0.5
1.0
0
0
2
6
12
14
16
18
IT01021
10
8
20
4
Gate-to-Source Voltage, V
GS
– V
VDS=10V
0
ID -- VDS
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
2
4
8
10
6
1
3
7
9
5
VGS=6V
10V
15V
8V
7V
Tc=--25
°
C
IT01020
Tc=25
°
C
ID=3.0A
1.8A
1.0A
0
RDS(on) -- VGS
2.5
3.0
3.5
4.0
2.0
1.5
1.0
8
2
12
20
14
16
18
IT01022
6
10
4
ID=18A VGS=15V
ID=18A VGS=10V
--50
RDS(on) -- Tc
2.5
2.0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
7.0
6.5
1.5
1.0
0.5
0
50
--25
150
25
75
100
125
0
Case Temperature, Tc – C
IT01023
D
D
Drain-to-Source Voltage, V
DS
– V
D
D
Gate-to-Source Voltage, V
GS
– V
S
O
D
(
S
O
D
(
r
m
a
P
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b
m
y
S
s
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D
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Q
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D
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S
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S
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S
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S
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=
V
d
d
d
d
=
,
V
0
e
e
e
e
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e
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e
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V
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A
3
0
2
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s
S
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t
e
T
t
e
T
t
e
T
0
G
T
I
V
c
C
c
C
c
C
c
C
0
1
=
D
A
3
=
5
7
7
0
2
8
1
1
1
4
2
C
s
s
s
s
V
n
n
n
n
n
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y
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tf
VD
S
e
g
a
V
d
S
G
9
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2628LS Ultrahigh-Speed Switching Applications
2SK2632LS 醣馱彳檳
2SK2633LS 2SK2633LS
2SK2684S Silicon N Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching
2SK2685 GaAs HEMT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2625ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2628ALS 制造商:SANYO 功能描述:MOSFET,N CH,600V,7A,TO-220FI Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFETN CH600V7ATO-220FI
2SK2631-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:Nch 800V 1A 10@10V TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 800V 1A TO251 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SK2632LS 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220FI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2638-01MRSC 制造商:Fuji Electric 功能描述: