參數(shù)資料
型號： 2SK2597
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET FOR BASE STATION OF 900 MHz BAND CELLULAR PHONE POWER AMPLIFICATION
中文描述： ? -基站信道的功率MOSFET的為900兆赫波段功率放大的蜂窩電話
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： 2SK2597
2SK2597
3
(2) f = 900 MHz
100
10
12
20
28
36
44
52
16
24
32
40
48
f = 900 MHz
V
DD
= 30 V
I
DQ
= 200 mA
×
2
P
out
G
P
OUTPUT POWER / DRAIN EFFICIENCY /
POWER GAIN vs. INPUT POWER
P
in
(dBm)
P
o
G
P
η
η
D
1000
100
10
1
.1
(3) f = 820 MHz
1000
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10
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.1
100
10
12
20
28
36
44
52
16
24
32
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f = 820 MHz
V
DD
= 30 V
I
DQ
= 200 mA
×
2
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out
G
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OUTPUT POWER / DRAIN EFFICIENCY /
POWER GAIN vs. INPUT POWER
P
in
(dBm)
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η
η
D
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