型號(hào): | 2SK2591 |
廠商: | Hitachi,Ltd. |
英文描述: | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
中文描述: | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(不適用溝道MOSFET的) |
文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 22K |
代理商: | 2SK2591 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SK2625 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
2SK2625LS | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
2SK2627 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
2SK2631 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
2SK2684 | Silicon N Channel DV-L MOS FET(N溝道 DV-L MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SK2592 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-262AA |
2SK2593 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Junction FET |
2SK2593GQL | 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開(kāi)):200 歐姆 安裝類(lèi)型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
2SK2593JQL | 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開(kāi)):200 歐姆 安裝類(lèi)型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
2SK2593P | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 1MA I(DSS) | SC-75A |