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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2578 |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 5A條（?。﹟的SOT - 186 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | 2SK2578 |
2SK2553
4
100
75
50
25
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
500
200
100
20
50
10
2
1
5
0.5
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
Ta = 25 °C
10μs
100μs
1ms
DCOpeaion(T =25C
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10 μ
100 μ
1 m
10 m
Pulse Width PW (S)
N
100 m
1
10
s
γ
DM
P
PW
T
D =T
ch – c = 1.67 °C/W, Tc = 25 °C
θ γ θ
θ
Tc = 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2579 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | SOT-186 |
| 2SK2580 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2581 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-186 |
| 2SK2582 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2588 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3A I(D) | SOT-186 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2579 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | SOT-186 |
| 2SK2580 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | SOT-186 |
| 2SK2581 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-186 |
| 2SK2582 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-220AB |
| 2SK2586 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
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